Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB,L1XHQ
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- XPW6R30ANB,L1XHQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- XPW6R30ANB,L1XHQ データシート
- 8-PowerVDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4519
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| Part Number XPW6R30ANB,L1XHQ |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series U-MOSVIII-H |
| Operating Temperature 175°C |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package 8-DSOP Advance |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 132W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V |
| Package_case 8-PowerVDFN |
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