Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH,LQ
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- TPN3300ANH,LQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPN3300ANH,LQ データシート
- 8-PowerVDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1952
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| Part Number TPN3300ANH,LQ |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series U-MOSVIII-H |
| Operating Temperature 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case 8-PowerVDFN |
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