Transphorm TPH3208LSG
- TPH3208LSG
- Transphorm
- GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPH3208LSG データシート
- 3-PowerDFN
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 729
- 現品在庫/ライセンスディーラー/工場余剰在庫
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Part Number TPH3208LSG |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Transphorm |
Description GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 3-PowerDFN |
Supplier Device Package 3-PQFN (8x8) |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
Power Dissipation (Max) 96W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 14A, 8V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 8 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±18V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case 3-PowerDFN |
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