SQD19P06-60L_GE3

Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3

画像は参考用です、製品仕様を参照してください

  • SQD19P06-60L_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 60V 20A TO252
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SQD19P06-60L_GE3 データシート
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1482
  • 現品在庫/ライセンスディーラー/工場余剰在庫
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部品番号
SQD19P06-60L_GE3
カテゴリ
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
パッケージ
Tape & Reel (TR)
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
消費電力(最大)
46W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
55mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (最大) @Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
41 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V

SQD19P06-60L_GE3 保証

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