Vishay Siliconix SIS427EDN-T1-GE3
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- SIS427EDN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIS427EDN-T1-GE3 データシート
- PowerPAK® 1212-8
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 6760
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| Part Number SIS427EDN-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8 |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case PowerPAK® 1212-8 |
| Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case PowerPAK® 1212-8 |
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