Vishay Siliconix SIHD6N65E-GE3
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- SIHD6N65E-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIHD6N65E-GE3 データシート
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 971
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| Part Number SIHD6N65E-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package TO-252AA |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 78W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SIHD6N65E-GE3 保証
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