Vishay Siliconix SI8401DB-T1-E3
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- SI8401DB-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8401DB-T1-E3 データシート
- 4-XFBGA, CSPBGA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 29407
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| Part Number SI8401DB-T1-E3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT |
| Package Tube |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 4-XFBGA, CSPBGA |
| Supplier Device Package 4-Microfoot |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.47W (Ta) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - |
| Vgs (Max) ±12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V |
| Package_case 4-XFBGA, CSPBGA |
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