Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-GE3
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- SI3442BDV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3442BDV-T1-GE3 データシート
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 17173
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| 部品番号 SI3442BDV-T1-GE3 |
| カテゴリ Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| メーカー Vishay Siliconix |
| 説明 MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP |
| パッケージ -Reel® |
| シリーズ TrenchFET® |
| 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ Surface Mount |
| パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP |
| テクノロジー MOSFET (Metal Oxide) |
| 消費電力(最大) 860mW (Ta) |
| FETタイプ N-Channel |
| FETの特徴 - |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 20 V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 3A (Ta) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs 57mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (最大) @Id 1.8V @ 250µA |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 295 pF @ 10 V |
| Vgs (最大) ±12V |
| 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン） 2.5V, 4.5V |
SI3442BDV-T1-GE3 保証
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