RN1965FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE(TE85L,F)

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  • RN1965FE(TE85L,F)
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • RN1965FE(TE85L,F) データシート
  • SOT-563, SOT-666
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 18228
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Part Number
RN1965FE(TE85L,F)
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Package
Cut Tape (CT)
Series
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Power - Max
100mW
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Package_case
SOT-563, SOT-666

RN1965FE(TE85L,F) 保証

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