MJ10021

NTE Electronics, Inc MJ10021

画像は参考用です、製品仕様を参照してください

  • MJ10021
  • NTE Electronics, Inc
  • T-NPN SI- HIV SW DARL
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • MJ10021 データシート
  • TO-204AA, TO-3
  • Bag
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3850
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Part Number
MJ10021
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer
NTE Electronics, Inc
Description
T-NPN SI- HIV SW DARL
Package
Bag
Series
SWITCHMODE™
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package
TO-3
Power - Max
250 W
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 4A, 60A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 15A, 5V
Frequency - Transition
-
Package_case
TO-204AA, TO-3

MJ10021 保証

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