Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- IRLS4030-7PPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRLS4030-7PPBF データシート
- TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 18814
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| Part Number IRLS4030-7PPBF |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK |
| Package Tube |
| Series HEXFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Supplier Device Package D2PAK (7-Lead) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 370W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11490 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±16V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
IRLS4030-7PPBF 保証
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