Infineon Technologies IRF1310NPBF
- IRF1310NPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF1310NPBF データシート
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 22575
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| 部品番号 IRF1310NPBF |
| カテゴリ Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| メーカー Infineon Technologies |
| 説明 MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB |
| パッケージ Tube |
| シリーズ HEXFET® |
| 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ Through Hole |
| パッケージ/ケース TO-220-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB |
| テクノロジー MOSFET (Metal Oxide) |
| 消費電力(最大) 160W (Tc) |
| FETタイプ N-Channel |
| FETの特徴 - |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 100 V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 42A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs 36mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @Id 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 110 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1900 pF @ 25 V |
| Vgs (最大) ±20V |
| 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン) 10V |
IRF1310NPBF 保証



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