ON Semiconductor FDN5618P
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- FDN5618P
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FDN5618P データシート
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 20870
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| Part Number FDN5618P |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series PowerTrench® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package SOT-23-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 500mW (Ta) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.25A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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