EPC EPC2025ENGR
- EPC2025ENGR
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- TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2025ENGR データシート
- Die
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- Lead free / RoHS Compliant
- 2874
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Part Number EPC2025ENGR |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer EPC |
Description TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE |
Package Die |
Series eGaN? |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die Outline (12-Solder Bar) |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.85nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 194pF @ 240V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V |
Vgs (Max) +6V, -4V |
Package_case Die |
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