EPC EPC2012C
- EPC2012C
- EPC
- GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- EPC2012C データシート
- Die
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 19102
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Part Number EPC2012C |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer EPC |
Description GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
Package Tape & Reel (TR) |
Series eGaN® |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case Die |
Supplier Device Package Die Outline (4-Solder Bar) |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
Power Dissipation (Max) - |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 100 V |
Vgs (Max) +6V, -4V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V |
Package_case Die |
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