Diodes Incorporated DMN3060LCA3-7
画像は参考用です、製品仕様を参照してください
- DMN3060LCA3-7
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMN3060LCA3-7 データシート
- 3-XFDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1380
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| Part Number DMN3060LCA3-7 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Diodes Incorporated |
| Description MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 3-XFDFN |
| Supplier Device Package X4-DSN1006-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 790mW |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.677 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 192 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V |
| Package_case 3-XFDFN |
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