NXP USA Inc. BLF10H6600P112
- BLF10H6600P112
- NXP USA Inc.
- POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT539 (
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- BLF10H6600P112 データシート
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 28383
- 現品在庫/ライセンスディーラー/工場余剰在庫
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| 部品番号 BLF10H6600P112 |
| カテゴリ Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| メーカー NXP USA Inc. |
| 説明 POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT539 ( |
| パッケージ Bulk |
| シリーズ - |
| 動作温度 - |
| 取付タイプ - |
| パッケージ/ケース - |
| サプライヤーデバイスパッケージ - |
| パワーマックス - |
| トランジスタの種類 - |
| 電流 - コレクタ (Ic) (最大) - |
| 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) - |
| Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic - |
| 電流 - コレクタカットオフ (最大) - |
| DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce - |
| 周波数遷移 - |
BLF10H6600P112 保証



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NXP USA Inc.

NXP USA Inc. is a globally leading semiconductor company and a subsidiary of NXP in the United States.
The predecessor of NXP USA Inc. can be traced back to Philips' semiconductor division established...
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